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  • 05
    2026-02
    小型載片規(guī)格適配精密微型基片,是蒸發(fā)臺(tái)行星鍋的常用規(guī)格之一。常見(jiàn)尺寸涵蓋2英寸、4英寸,適配小型半導(dǎo)體芯片、微型光學(xué)鏡片等基片,這類規(guī)格的蒸發(fā)臺(tái)行星鍋多采用多工位設(shè)計(jì),兼顧批量加工與合理定位,能減少基片在公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)過(guò)程中的偏移,適配高端微型器件的蒸鍍需求。
  • 05
    2026-02
    行星鍋的使用注意事項(xiàng)需重點(diǎn)關(guān)注。首先,需按基片規(guī)格調(diào)整運(yùn)動(dòng)參數(shù),避免超負(fù)荷運(yùn)行導(dǎo)致部件磨損;其次,每次使用后需清潔行星鍋表面,清除殘留物料與雜質(zhì),避免影響后續(xù)加工品質(zhì);最后,定期檢查傳動(dòng)部件與銜接處,及時(shí)潤(rùn)滑維護(hù),避免機(jī)械故障導(dǎo)致運(yùn)行異常,延長(zhǎng)使用壽命。
  • 05
    2026-02
    水冷散熱結(jié)構(gòu)是離子源弧光室最常用的散熱方式,適配中高功率工況。該結(jié)構(gòu)在弧光室腔壁內(nèi)置循環(huán)水道,通過(guò)冷卻液持續(xù)帶走熱量,控溫效果穩(wěn)定,能將腔壁溫度控制在合理范圍,避免高溫導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)形變,廣泛應(yīng)用于高劑量離子注入等發(fā)熱量大的場(chǎng)景,兼顧散熱效率與結(jié)構(gòu)密封性。
  • 31
    2026-01
    圓柱形是弧光室最常用的造型,適配多數(shù)通用離子源設(shè)備。該造型受力均勻、密封性佳,能減少離子在腔體內(nèi)的無(wú)序散射,同時(shí)便于加工制造、控制成本,可滿足中低功率離子源的電離需求,廣泛應(yīng)用于常規(guī)晶圓摻雜、材料改性等場(chǎng)景,是性價(jià)比突出的弧光室造型。
  • 31
    2026-01
    坩堝是最核心的承載類蒸發(fā)臺(tái)配件。按材質(zhì)可分為石英坩堝、陶瓷坩堝、金屬坩堝等,石英坩堝適配低熔點(diǎn)材料蒸發(fā),陶瓷坩堝耐受中高溫,金屬坩堝(如鎢、鉬材質(zhì))適配高熔點(diǎn)金屬蒸發(fā),通過(guò)合理承載蒸發(fā)材料,配合加熱組件實(shí)現(xiàn)均勻氣化,是各類蒸發(fā)工藝的基礎(chǔ)適配配件。
  • 31
    2026-01
    涂層通過(guò)降低電子逸出功助力離子束增強(qiáng),這是注入機(jī)離子源燈絲涂層的核心作用。常見(jiàn)的錸、釷等涂層材質(zhì),可優(yōu)化燈絲表面電子發(fā)射特性,讓電子更易脫離燈絲表面,提升電子發(fā)射效率,進(jìn)而增加等離子體生成量,間接增強(qiáng)離子束密度,適配高劑量離子注入需求。
  • 31
    2026-01
    純鎢材質(zhì)離子源燈絲適配基礎(chǔ)磁控濺射場(chǎng)景。鎢材質(zhì)熔點(diǎn)高、機(jī)械強(qiáng)度佳,可耐受高溫放電工況,且成本適中,適合普通金屬、氧化物靶材的濺射,能滿足中小規(guī)模生產(chǎn)的基礎(chǔ)需求,是應(yīng)用較廣泛的離子源燈絲類型之一,但長(zhǎng)期高溫運(yùn)行易出現(xiàn)蠕變、斷裂問(wèn)題。
  • 31
    2026-01
    優(yōu)先依據(jù)注入器束流需求挑選注入機(jī)離子源配件。大離子束注入器側(cè)重高束流輸出,需選用適配高電離效率的配件,如大功率燈絲、大容量弧光室,確保離子產(chǎn)出量滿足高劑量摻雜需求,避免因配件適配不足導(dǎo)致束流衰減、波動(dòng),影響生產(chǎn)效率。
  • 30
    2026-01
    核心離子源配件的性能直接影響離子束品質(zhì),間接決定薄膜純度。燈絲、弧光室等離子源配件若存在材質(zhì)損耗或結(jié)構(gòu)偏差,會(huì)導(dǎo)致離子束發(fā)散、雜質(zhì)離子增多,進(jìn)而造成光學(xué)薄膜折射率波動(dòng),出現(xiàn)透光率下降、雜散光增加等問(wèn)題,影響薄膜的光學(xué)成像與過(guò)濾性能,無(wú)法適配高精度光學(xué)場(chǎng)景需求。
  • 30
    2026-01
    注入機(jī)離子源的核心應(yīng)用的是實(shí)現(xiàn)晶圓合理?yè)诫s。在晶圓制造的摻雜工序中,它將硼、磷、砷等摻雜元素電離為等離子體,經(jīng)篩選、加速后注入晶圓表層,改變晶圓局部導(dǎo)電性能,形成源極、漏極、柵極等核心結(jié)構(gòu),為半導(dǎo)體器件的電流控制提供基礎(chǔ),適配不同導(dǎo)電特性的晶圓制造需求。